|
|
|
结果: 找到相关主题 5805 个
-
MOS管DS波形图文解析-KIA MOS管
MOS管DS波形：假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH,通过从示波器上测量和计算,得出下列数值。（1）大约的交流输入电压值（2）次级反到初级的电压www.kiaic.com/article/detail/2592.html 2021-01-18
-
MOS管与非门及或非门构成原理解析-KIA MOS管
MOS管与非门：与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门是一种通用的逻辑门，因为任何布尔函数都能用与非门...www.kiaic.com/article/detail/2591.html 2021-01-18
-
氮化镓MOS管与碳化硅MOS管的结构、性能差异分析-KIA MOS管
氮化镓MOS管与碳化硅MOS管的结构、性能差异：作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/2590.html 2021-01-18
-
薄膜场效应管介绍及结构解析-KIA MOS管
薄膜场效应管解析：场效应管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,这种器件不但具有一般半导体三极管体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点,而且还有输入阻抗高、噪声低(0.5-1dB)、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等特点，因而其应用范围非...www.kiaic.com/article/detail/2583.html 2021-01-15
-
KIA65R700超结场效应管|参数规格|原厂直销-KIA MOS管
KIA65R700超结场效应管，650V7A，这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超结技术生产的。这先进的技术已特别定制，以减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，以获得更高...www.kiaic.com/article/detail/2589.html 2021-01-15
-
石墨烯场效应管基本概念分析-KIA MOS管
石墨烯场效应管概念：场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大。www.kiaic.com/article/detail/2588.html 2021-01-15
-
TBU场效应管触发器|打造绝佳的电路保护方案-KIA MOS管
TBU场效应管触发器：TBU(场效应管触发器)则与传统保护的方式不同，它只用1个元件就替代了次级保护器和提供协调性的考量。当我们把TBU放入电路之后，电流会上升，这时候TBU就会打开，有效阻绝电流与电压，电路就会被保护。www.kiaic.com/article/detail/2587.html 2021-01-14
-
场效应管的可调稳压电源介绍及原理图-KIA MOS管
场效应管的可调稳压电源：本文介绍一只V-MOS功率场效应管作调整管的稳压电源。直流输出电压可在1.25V~12V连续可调,输出电流为50mA(须装10平方厘米散热器)时,电压波动不超过0.3% ,适合各类小电器使用。www.kiaic.com/article/detail/2586.html 2021-01-14
-
场效应管混频器原理与电路详细解析-KIA MOS管
场效应管混频器原理与电路：混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件和滤波网络等4部分组成，如图1所示。这里的非线性器件本身仅实现频率变换，本振信号由本机振荡器产生。若非线性器件既产生本振信号，又实现频率变换，则图1变为变频器。www.kiaic.com/article/detail/2585.html 2021-01-14
-
铁电场效应管基本结构及性能介绍-KIA MOS管
铁电场效应管也就是铁电介质栅极场效应晶体管（MFSFET，Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET）：这是在MOSFET的基础上，把栅极SiO2绝缘材料更换为高介电常数的铁电材料即得。www.kiaic.com/article/detail/2584.html 2021-01-14
-
自旋场效应管是什么？特性原理科普-KIA MOS管
自旋场效应管（Spin-FET）， 也称为自旋偏振（极化）半导体场效应晶体管，这是一种半导体自旋电子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出来的。www.kiaic.com/article/detail/2582.html 2021-01-13
-
场效应管图标与特性干货解析-KIA MOS管
场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4个电极:栅极G1、极栅G2、源极S和漏极D)。场效应管的栅极G、源极S和漏极D的功能分别对应于双极型晶体管的基极B、发射极E和集电极C。www.kiaic.com/article/detail/2581.html 2021-01-13
-
如何用TTL驱动MOS管电路及TTL电平的优缺点总结-KIA MOS管
本文主要内容是如何用TTL驱动MOS管电路及TTL电平的优缺点总结，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。TTL连接线是用于相机...www.kiaic.com/article/detail/1723.html 2021-01-12
-
什么叫二极管正向压降？
电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。www.kiaic.com/article/detail/107.html 2021-01-12